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電阻率是衡量材料對電流的抵抗程度的物理量。電阻正比于通路的長度,反比于導體材料的橫截面積,電阻率就是這個比例常數。電阻率是電導率的倒數,是材料的基本特性。電阻率通常用希臘字母ρ來表示,量綱是ML3T-3I-2,在國際單位制中的單位是Ω·m。電阻率的公式是ρ=RA/l其中A是導體材料的面積,l是導體材料的長度。電阻率受磁場、溫度、壓力等外界因素的影響。
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更新時間:2025-11-11
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電阻率是衡量材料對電流的抵抗程度的物理量。電阻正比于通路的長度,反比于導體材料的橫截面積,電阻率就是這個比例常數。電阻率是電導率的倒數,是材料的基本特性。電阻率通常用希臘字母ρ來表示,量綱是ML3T-3I-2,在國際單位制中的單位是Ω·m。電阻率的公式是
ρ=RA/l其中A是導體材料的面積,l是導體材料的長度。電阻率受磁場、溫度、壓力等外界因素的影響
在金屬中,有許多能量接近費米能級的能級,這些能級并沒有被填充,因此電子在其中運動阻力較小。有些時候,能級中存在禁帶:在某些能量區間內沒有能級。如果費米能級在帶隙范圍內,費米能級附近沒有可用的態,電阻率就會非常高。有些材料費米能級之下的能帶全填充,而費米能級之上的能帶全空,費米能級在帶隙中,這種材料導電性非常差,是絕緣體。
在本征半導體中,費米能級大約在導帶的最小值與價帶的最大值之間一半的位置。在絕對零度下,本征半導體不會有可以傳導的電子,電阻是無限的。在實際材料中,摻雜原子通過向導帶提供電子或在價帶上產生空穴來提高載流子濃度,電阻隨著導帶中電荷載流子密度增加而降低。高摻雜半導體具有金屬行為。溫度非常高時,載流子的貢獻超過摻雜原子的貢獻,電阻隨溫度指數下降。
高精度電阻率方阻標準片在現實場景就有很多用處,可以標定產品,提供數據。
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